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規格:光催化氧化原理: 在光照下,如果光子的能量大于半導體禁帶寬度,其價帶上的電子(e-)就會被激發到導帶上,同時在價帶上產生空穴(h+)。當存在合適的俘獲劑、表面缺陷或者其他因素時,電子和空穴的復合得到抑制

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廢氣處理光離一體機設備的簡單介紹

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廢氣處理光離一體機設備的詳細信息

光催化氧化原理:

在光照下,如果光子的能量大于半導體禁帶寬度,其價帶上的電子(e-)就會被激發到導帶上,同時在價帶上產生空穴(h+)。當存在合適的俘獲劑、表面缺陷或者其他因素時,電子和空穴的復合得到抑制,就會在催化劑表面發生氧化還原反應。價帶空穴是良好的氧化劑,導帶電子是良好的還原劑,在半導體光催化反應中,一般與表面吸附的H2OO2反應生成.OH和超氧離子O2-,能夠把各種有機物直接氧化成CO2H2O等無機小分子,電子也具有強還原性,可以還原吸附在其表面的物質。激發態的導帶電子和價帶空穴能重新合并,并產生熱能或其他形式散發掉。


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