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濺射制備
AIN靶材射頻磁控濺射制備AIN薄膜及性質研究(2013-08-28)
nl一V族半導體氮化物(GaN、AIN、BN、InN)在光學、電學和半導體領域具有很大應用潛能。氮化鋁(AIN)具有許多突出的物理化學性能，如寬的直接帶隙(5.9~6.2ev)，大的擊穿場強(10kV/m)，高的熱導率3。2w/(cm.…[詳情]
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nl一V族半導體氮化物(GaN、AIN、BN、InN)在光學、電學和半導體領域具有很大應用潛能。氮化鋁(AIN)具有許多突出的物理化學性能，如寬的直接帶隙(5.9~6.2ev)，大的擊穿場強(10kV/m)，高的熱導率3。2w/(cm.…[詳情]
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