半導體器件工作在大電流和高電壓的條件下，工作過程中功率的耗散會引起器件溫度的升高，因此器件在特定溫度下各項電學參數達標是器件正常工作基本的保障。對半導體器件進行高溫測試是檢測器件在特定溫度下各項電學參數是否達標的必要手段，高溫測試包括；飽和導通壓降測試、耐壓測試、短路耐量等靜態測試，開啟時間、關斷時間等的動態測試。

半導體試驗標準

國際電工委員會，關于半導體 高溫儲存試驗的標準

IEC 60749-6-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

IEC 60749-6-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

IEC 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

韓國標準，關于半導體 高溫儲存試驗的標準

KS C IEC 60749-6-2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

德國標準化學會，關于半導體 高溫儲存試驗的標準

DIN EN 60749-6-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫儲存

法國標準化協會，關于半導體 高溫儲存試驗的標準

NF C96-022-6-2002 半導體裝置.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

英國標準學會，關于半導體 高溫儲存試驗的標準

BS EN 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.高溫下儲存

歐洲電工標準化委員會，關于半導體 高溫儲存試驗的標準

EN 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存 部分替代EN 60749-1999+A1-2000+A2-2001;IEC 60749-6-2002