《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的測量 二次離子質譜法》意見征求
作者： 2020年11月10日 來源：全球化工設備網 瀏覽量：
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碳化硅材料是一種寬禁帶半導體，適合制備高電壓、高功率、高頻和高溫半導體電子器件，在微波通訊、雷達、電力電子等領域具有廣闊的應用前景，對國民經濟和國防建設也具有重要意義。但是碳化硅
碳化硅材料是一種寬禁帶半導體，適合制備高電壓、高功率、高頻和高溫半導體電子器件，在微波通訊、雷達、電力電子等領域具有廣闊的應用前景，對國民經濟和國防建設也具有重要意義。但是碳化硅中雜質元素含量對碳化硅材料的研制生產起著非常重要的作用，特別是半絕緣碳化硅中氮雜質元素的含量是其半絕緣性能的直接判定依據。
碳化硅中的雜質元素對研制生產起著重要的作用，故而為獲得高純半絕緣特性的碳化硅晶體，必須對雜質進行嚴格的控制。目前雖然許多生產和使用碳化硅材料的企業都對碳化硅中雜質含量測試提出了需求，但是尚無相關測試方法的標準或可借鑒的測試方法。為了改變這一情形，中國電子科技集團公司第四十六研究所起草編制了《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的測量 二次離子質譜法》。
《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的測量 二次離子質譜法》是按照GB/T 1.1-2020《標準化工作導則 第1部分：標準化文件的結構和起草規則》的規定起草的，其內容包括有范圍、規范性引用文件、術語和定義、原理、干擾因素、試驗條件、儀器設備、樣品、試驗步驟、試驗數據處理、精密度、試驗報告，規定了碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的二次離子質譜測試方法。
閱讀標準征求意見稿后可知，二次離子質譜測試方法需要用到的儀器設備是扇形磁場二次離子質譜儀，其原理是在高真空條件下，氧或銫離子源產生的一次離子，經過加速、純化、聚焦后，轟擊碳化硅單晶樣品表面，濺射出多種粒子，將其中的離子引出后，通過質譜儀將不同荷質比的離子分開，記錄并計算樣品中硼、鋁、氮與硅的離子計數率之比后，即可利用相對靈敏度因子定量分析并計算出碳化硅單晶中的硼、鋁、氮的含量。
鑒于碳化硅材料重要的戰略地位，在我國也受到極大的關注，國家在碳化硅材料科研及產品產業化都投入了非常大的力量，近兩年在國家重點研發計劃項目中都布局了碳化硅專項。目前，《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的測量 二次離子質譜法》正面向社會征求意見，希望相關單位能在仔細研核后提出建設性意見，為標準的進一步完善添磚加瓦。
更多詳情請點擊：《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的測量 二次離子質譜法》征求意見稿
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