光電所在低缺陷密度紅外薄膜制備工藝方面取得進展
作者： 2017年10月09日 來源： 瀏覽量：
字號：T | T
中國科學院光電技術研究所薄膜光學技術研究室在低缺陷密度紅外薄膜制備工藝方面取得進展，通過優化紅外薄膜的鍍膜工藝，硫化鋅/氟化鐿多層膜的缺陷密度顯著降低。 紅外薄膜的缺陷是影響紅外薄膜光學性能和其穩定
中國科學院光電技術研究所薄膜光學技術研究室在低缺陷密度紅外薄膜制備工藝方面取得進展，通過優化紅外薄膜的鍍膜工藝，硫化鋅/氟化鐿多層膜的缺陷密度顯著降低。
紅外薄膜的缺陷是影響紅外薄膜光學性能和其穩定性的重要因素，受到國內外相關研究人員的關注。光電所研究團隊通過優化沉積沉積速率、沉積溫度和沉積方式，顯著降低了多層紅外薄膜的缺陷：多層紅外薄膜的缺陷密度降低了一個數量級。采用低缺陷密度工藝參數制備的164nm高反射膜，反射率大于99.9%，吸收小于100ppm。
研究成果發表在Surface & Coatings Technology上。
圖1.1064nm高反射膜的反射率光譜
圖2.1064nm高反射膜的吸收
全球化工設備網（http://www.tupvw34.cn ）友情提醒，轉載請務必注明來源:全球化工設備網！違者必究.
標簽：
相關資訊
免責聲明：1、本文系本網編輯轉載或者作者自行發布，本網發布文章的目的在于傳遞更多信息給訪問者，并不代表本網贊同其觀點，同時本網亦不對文章內容的真實性負責。
2、如涉及作品內容、版權和其它問題，請在30日內與本網聯系，我們將在第一時間作出適當處理！有關作品版權事宜請聯系：+86-571-88970062
2、如涉及作品內容、版權和其它問題，請在30日內與本網聯系，我們將在第一時間作出適當處理！有關作品版權事宜請聯系：+86-571-88970062
推薦資訊