光刻技術是集成電路制造產業的核心，決定著集成電路的元件特征尺寸。伴隨半導體產業摩爾定律延續，極紫外光刻被公認為是最具潛力的下一代光刻技術。6月21日，“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項(02專項)實施管理辦公室組織專家在中國科學院長春光學精密機械與物理研究所召開了“極紫外光刻關鍵技術研究”項目驗收會。評審專家組充分肯定了項目取得的一系列成果，一致同意項目通過驗收，認為該項目的順利實施將我國極紫外光刻技術研發向前推進了重要一步。
  “極紫外光刻關鍵技術研究”國家科技重大專項過驗　　　　極紫外(Extreme Ultraviolet，EUV)光刻是一種采用波長13.5nm極紫外光為工作波長的投影光刻技術，是傳統光刻技術向更短波長的合理延伸。作為下一代光刻技術，被行業賦予拯救摩爾定律的使命。極紫外光刻光學技術代表了當前應用光學發展最高水平，作為前瞻性EUV光刻關鍵技術研究，項目指標要求高，技術難度大、瓶頸多，創新性高，同時國外技術封鎖嚴重。　　　　長春光機所自上世紀九十年代起專注于EUV/X射線成像技術研究，著重開展了EUV光源、超光滑拋光技術、EUV多層膜及相關EUV成像技術研究，形成了極紫外光學的應用技術基礎。2002年，研制國內第一套EUV光刻原理裝置，實現了EUV光刻的原理性貫通。2008年國家“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”科技重大專項將EUV光刻技術列為“32-22nm裝備技術前瞻性研究”重要攻關任務。長春光機所作為牽頭單位承擔起了“極紫外光刻關鍵技術研究”項目研究工作，成員包括中科院光電技術研究所、中科院上海光學精密機械研究所、中科院微電子研究所、北京理工大學、哈爾濱工業大學、華中科技大學。　　　　項目研究團隊歷經八年的潛心鉆研，突破了制約我國極紫外光刻發展的超高精度非球面加工與檢測、極紫外多層膜、投影物鏡系統集成測試等核心單元技術，成功研制了波像差優于0.75 nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統，構建了EUV 光刻曝光裝置，國內首次獲得EUV 投影光刻32 nm 線寬的光刻膠曝光圖形。建立了較為完善的曝光光學系統關鍵技術研發平臺，圓滿完成國家重大專項部署的研究內容與任務目標，實現EUV 光學成像技術跨越，顯著提升了我國極紫外光刻核心光學技術水平。同時，項目的實施形成了一支穩定的研究團隊，為我國能夠在下一代光刻技術領域實現可持續發展奠定堅實的技術與人才基礎。　　　　驗收會上，長春光機所所長賈平誠摯地感謝了與會專家及各合作單位對項目的大力支持。賈平指出從時機及技術難度方面考慮，EUV項目的布局正處于窗口期，希望國家給予持續穩定的支持。鼓勵項目參研單位進一步發揮EUV學科優勢，鼓足勇氣并肩奮斗，在后續支持下取得更好的成果。　　　　02專項總體組技術總師、中科院微電子所所長葉甜春做總結發言。葉甜春強調，在國際上EUV光刻大生產基地已經建立的形勢下，我國EUV光刻研究要繼續堅持下去，面向未來產業工程化需求，著力點要放在必須掌握的核心技術和有可能取得創新的突破點。此外，葉甜春評價光刻機隊伍是承擔最核心、最高端、最艱巨任務的隊伍，也是專項團隊中最有戰斗力、最能抗壓、最值得信任的主力部隊。鼓勵項目團隊肩負重大任務的責任與使命感，繼續堅持勇攀高峰。　　　　02專項光刻機工程指揮部總指揮、前科技部副部長曹健林到會并致辭。作為國內最熟悉EUV光刻的領域專家，曹健林對我國EUV光刻技術能力的提升感到欣喜，他認為中國已初步具備光刻技術的研發能力，并向著產業化目標前進，30年前的“中國光刻夢”正在逐步變為現實，通過我國光刻技術研發能力的建設初步樹立了堅持“中國光刻夢”的信心。　　　　編輯點評　　　　在長春光機所等參研單位的共同努力下，歷經八年的戮力攻堅，圓滿地完成了預定的研究內容與攻關任務，突破了現階段制約我國極紫外光刻發展的核心光學技術，初步建立了適應于極紫外光刻曝光光學系統研制的加工、檢測、鍍膜和系統集成平臺，為我國光刻技術的可持續發展奠定了堅實的基礎。