美國(guó)家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研究院(NIST)近日發(fā)布消息聲稱，該機(jī)構(gòu)研究人員利用兩種新技術(shù)，首次以納米級(jí)精度檢測(cè)了廣泛使用的太陽(yáng)能電池的化學(xué)成分及缺陷的變化。
 
 　　在研究中，NIST科學(xué)家利用兩種依賴原子力顯微鏡(AFM)的輔助方法，通過(guò)光誘導(dǎo)共振(PTIR)來(lái)測(cè)量太陽(yáng)能電池樣品從可見(jiàn)光到中紅外線的寬波長(zhǎng)范圍吸收光的數(shù)量，從而在納米級(jí)尺度得到太陽(yáng)能電池的構(gòu)成及其缺陷。另一項(xiàng)技術(shù)，被稱為掃描近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡(dt-NSOM)，通過(guò)記錄特定位置傳輸光的數(shù)量來(lái)捕捉太陽(yáng)能電池的組成及缺陷的變化，從而形成詳細(xì)的納米尺度圖像。
 　　實(shí)驗(yàn)表明，材料晶體排列的缺陷與其化學(xué)構(gòu)成中的雜質(zhì)相關(guān)，新技術(shù)能檢測(cè)碲化鎘樣品中所謂的深層次缺陷的空間變化。這些缺陷引起碲化鎘與其它半導(dǎo)體中的電子和質(zhì)子(帶正電荷的顆粒)重新組合而不是發(fā)電，這是導(dǎo)致太陽(yáng)能電池?zé)o法取得理論成效的關(guān)鍵原因之一。
 　　該研究成果具有廣泛適用性，將有助于太陽(yáng)能電池研究，更好地了解各種光伏材料。該研究成果發(fā)表在2017年4月12日的《Nanoscale》雜志上。
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 　　首次以納米級(jí)精度檢測(cè)，新技術(shù)檢測(cè)了用碲化鎘半導(dǎo)體材料制造的常見(jiàn)太陽(yáng)能電池，有望幫助科學(xué)家更好地了解太陽(yáng)能電池的微觀結(jié)構(gòu)，并可能提出進(jìn)一步提高太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)化效率的方法。