高靈敏度石墨烯（Graphene）太赫茲探測(cè)器，靈敏度達(dá)到同類石墨烯探測(cè)器的最好水平，為不斷提高太赫茲技術(shù)應(yīng)用具有重要意義。近日，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所等科研單位成功得出這一研究成果。
  中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、中國科學(xué)院納米器件與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室秦華團(tuán)隊(duì)與中國電子科技集團(tuán)有限公司第十三研究所專用集成電路國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作，成功獲得了高靈敏度石墨烯（Graphene）太赫茲探測(cè)器，靈敏度達(dá)到同類石墨烯探測(cè)器的最好水平，該結(jié)果近期發(fā)表在碳材料雜志Carbon（116, 760-765 (2017)）上。
 太赫茲波（Terahertz wave）是頻率介于紅外和毫米波之間的電磁波，在信息、生物醫(yī)學(xué)和環(huán)境檢測(cè)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景。然而太赫茲科技的發(fā)展一直受制于小型化高功率光源和室溫高靈敏度探測(cè)器技術(shù)匱乏的瓶頸問題。目前，光源與探測(cè)器技術(shù)得到了大幅提升，并且太赫茲成像技術(shù)正逐步進(jìn)入危化品波譜探測(cè)、生物成像和人體安檢等應(yīng)用領(lǐng)域，但在0.3-3.0 THz核心“太赫茲空白區(qū)”的高功率發(fā)光和高靈敏度探測(cè)仍屬于技術(shù)難題。例如，室溫工作、發(fā)射頻率高于0.3 THz并且輸出功率達(dá)到1-100毫瓦量級(jí)的固態(tài)太赫茲光源還處于研發(fā)階段。又如，遠(yuǎn)距離實(shí)時(shí)被動(dòng)式太赫茲人體安檢要求探測(cè)器的噪聲等效功率（NEP）在10 -15 W/Hz 1/2量級(jí)以下，而目前只有在極低溫工作的超導(dǎo)探測(cè)器能夠接近該靈敏度。因此，發(fā)展室溫工作的超高靈敏度太赫茲探測(cè)器對(duì)推進(jìn)太赫茲技術(shù)應(yīng)用具有重要意義。
 蘇州納米所等在高靈敏度石墨烯太赫茲探測(cè)器研究中取得進(jìn)展　　

  蘇州納米所團(tuán)隊(duì)一直致力于室溫超高靈敏度太赫茲探測(cè)器的研究，基于常規(guī)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)（如AlGaN/GaN）和石墨烯等新型二維電子氣（Two-dimensional electron gas, 2DEG）研制太赫茲混頻（Mixing）探測(cè)器。石墨烯等狄拉克二維電子材料為高效混頻探測(cè)提供了高電子遷移率、寬頻帶光學(xué)吸收、高可調(diào)諧費(fèi)米能級(jí)、雙極型載流子及其非線性輸運(yùn)等優(yōu)異特性。

  此次進(jìn)展由兩個(gè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作獲得，發(fā)揮了碳化硅（SiC）襯底外延生長的高質(zhì)量雙層石墨烯、高效偶極天線與探測(cè)器設(shè)計(jì)、自對(duì)準(zhǔn)天線柵極工藝等優(yōu)勢(shì)，使0.34 THz頻段的石墨烯太赫茲自混頻（Self-mixing/Homodyne mixing）探測(cè)器的電壓響應(yīng)度達(dá)到了30 V/W，使探測(cè)器阻抗降低到203 Ω以下（探測(cè)器熱噪聲電壓小于讀出電路電壓噪聲），實(shí)測(cè)噪聲等效功率約163 pW/Hz1/2（熱噪聲限制的等效噪聲功率僅為51 pW/Hz1/2）。基于該探測(cè)器實(shí)現(xiàn)了對(duì)新鮮樹葉的清晰透視成像。目前，聯(lián)合團(tuán)隊(duì)已進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了石墨烯外差混頻（Heterodyne mixing）和分諧波混頻（Sub-harmonic mixing），最高探測(cè)頻率達(dá)到0.65 THz。
 此次合作突破了蘇州納米所團(tuán)隊(duì)前期獲得的基于CVD生長石墨烯的探測(cè)器噪聲等效功率（～207,000 pW/Hz1/2）（Chin. Phys. B 24, 047206 (2015)），達(dá)到并驗(yàn)證了2013年預(yù)測(cè)的探測(cè)靈敏度水平（Appl. Phys. Lett. 103, 173507 (2013)）。研究結(jié)果表明：或可進(jìn)一步提高石墨烯探測(cè)器的靈敏度2-3個(gè)數(shù)量級(jí)，但其實(shí)用化技術(shù)的形成仍有待進(jìn)一步突破設(shè)計(jì)和制造等關(guān)鍵技術(shù)。
 G-FET太赫茲探測(cè)器的研制工作得到了國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目（No. 61271157, 61401456, 61306006）、中科院蘇州納米所納米加工平臺(tái)、測(cè)試分析平臺(tái)和南京大學(xué)超導(dǎo)電子學(xué)研究所的大力支持。
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 高靈敏度石墨烯（Graphene）太赫茲探測(cè)器，靈敏度達(dá)到同類石墨烯探測(cè)器的最好水平，為不斷提高太赫茲技術(shù)應(yīng)用具有重要意義。