存儲器是信息系統的基礎核心芯片，最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝，同時也是我國進口金額最大的集成電路產品。為推動國內存儲力量的崛起，我國存儲器基地項目相繼落地。
　　近幾年，隨著PC、數據中心服務器、平板、智能手機和其他設備的興起，中國對DRAM和Flash的渴求達到了一個前所未有的高度。但坦白說，僅憑中國目前的技術儲備，暫時無法撐起中國的存儲野心。
　　加之后續物聯網和人工智能應用的大量興起，存儲需求將會持續攀升，對于中國來說，如何迅速獲得核心技術，就成為中國存儲產業關注的首要問題。另外，如何籠絡一批經驗足夠豐富的存儲相關工程師，以撐起其發展的野心也十分關鍵。
　　為推進國內存儲產業的發展，夯實基礎，我國開展了一系列項目建設。日前，總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢東湖高新區正式開工。2020年全面建成后，年產值將超過100億美元，實現我國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破。
　　此次開工的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D　NAND　FLASDH　FAB廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建筑，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。
　　據介紹，國家存儲器基地項目由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以芯片制造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體，建成后，還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展。
　　無獨有偶，近日中電海康存儲芯片研發及中試基地項目開工，這也是青山湖科技城新年開工的第一個重大項目。該項目投資13億元，占地50畝，計劃今年9月投用；中試運營成功穩定后，后期產業化投資將達到百億元級規模。
　　“這個項目如果成功，對全國來說都具有重大意義，將彌補國內在高端存儲芯片領域的空白。”青山湖科技城管委會商務局副局長朱新虎如是說道。
　　據介紹，磁旋存儲器是一種新型高端存儲器，其特點為納秒級讀寫速度、極高重寫次數、掉電數據不丟失、極好的抗輻射和抗惡劣環境能力、能耗低等。直白點說，這是一個新的技術制高點。為此，中電海康成立了海康馳拓科技有限公司，全力推動以磁旋存儲器為代表的高端存儲芯片開發與產業化，這也是此次建設項目的意義所在。
　　據悉，海康馳拓的研發團隊，由多位在信息存儲芯片設計與制造領域有著豐富經驗的“國千”和“省千”專家領軍，成員均來自國際著名的半導體設計及生產廠商、知名存儲業務公司或是全球規模最大的非私營信息存儲技術研究機構，掌握著高端信息存儲器件產業的相關核心技術。
　　劉波博士告訴記者，吸引和凝聚自旋電子技術、微電子技術和芯片設計技術的高端人才是項目成功的關鍵所在。該項目落地杭州，就是看重杭州的文化和創新創業環境對高端人才的吸引力，“高端人才對我們來說是最重要的。”
（來源：中國智能制造網）