沈陽拓荊科技有限公司承擔的“十一五”科技重大專項“90-65nm等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備研發(fā)與應用”項目15日通過國家重大專項辦公室驗收，標志著我國12英寸PECVD設(shè)備實現(xiàn)國產(chǎn)化，填補了國內(nèi)空白，打破了國際壟斷，提升了我國集成電路產(chǎn)業(yè)整體競爭力。

　　PECVD是芯片制造的4種最重要設(shè)備之一，一條投資70億美元的芯片制造生產(chǎn)線，需用約5億美金采購100多臺PECVD設(shè)備。其核心技術(shù)是利用等離子體增強化學氣相沉積法，在硅晶片表面鍍一層固態(tài)薄膜。該技術(shù)完全被美日等少數(shù)發(fā)達國家壟斷，設(shè)備進口受到嚴格限制。

　　“90-65nm　PECVD設(shè)備”是用于12英寸芯片生產(chǎn)線的專用設(shè)備，是當今國際主流薄膜沉積設(shè)備。沈陽拓荊科技有限公司前身為中科院沈陽科學儀器股份有限公司PECVD事業(yè)部，2010年成立獨立公司，由“千人計劃”專家姜謙帶領(lǐng)團隊，專項研制12英寸PECVD設(shè)備。幾年來相繼攻克了設(shè)備平臺設(shè)計、薄膜工藝開發(fā)、薄膜均勻性控制等關(guān)鍵技術(shù)，產(chǎn)品通過國內(nèi)12英寸集成電路生產(chǎn)線考核驗收，各項指標達到國際水平，成本為國際設(shè)備的70%。目前設(shè)備已銷售至中芯國際、蘇州晶方、武漢新芯、華天科技等企業(yè)，產(chǎn)品及服務得到用戶的一致認可。

　　通過項目的實施，拓荊公司申請專利300項，建立技術(shù)標準9項，形成了5項新產(chǎn)品，推動子系統(tǒng)供應商發(fā)展相關(guān)技術(shù)及產(chǎn)品國產(chǎn)化率達到70%。