一、基本概念
固體從形態上來分有晶形和無定形兩種。例如:食鹽、蔗糖等都是晶體,而木碳、橡膠都為無定形物質。其區別主要在于內部結構中的質點元素(原子、分子)的排列方式互不相同。
晶體簡單地分為:立方晶系、四方晶系、六方晶系、正交晶系、單斜晶系、三斜晶系、三方晶系等七種晶系。
通常只有同類的分子或離子才能進行有規律的排列,故結晶過程有高度的選擇性。通過結晶溶液中的大部分雜質會留在母液中,再通過過濾、洗滌即可得到純度高的晶體。但是結晶過程是復雜的,晶體的大小不一,形狀各異,形成晶族等現象,因此有時需要重結晶。
此外,結晶時有水合作用,晶體中有一定數量的溶劑分子稱為結晶水。
二、結晶過程的相平衡
1.相平衡與溶解度
在一定溫度下,將溶液放入溶劑中,由于分子的熱運動,會發生:
(1)固體的溶解:溶質分子擴散進入液體內部;
(2)物質的沉積:溶質分子從液體中擴散到固體表面進行沉積。
達到平衡時的溶液稱為該物質的飽和溶液。即溶質不會溶解,也不會沉積或者溶質溶解的速率與溶質沉積的速率相等。
若為不飽和溶液,則溶質要溶解,一直到飽和時才會停止。若為過飽和溶液,則溶質就要沉積,直到溶液重新達到飽和為止。
一般用100g溶劑中所能溶解的溶質的量來表示其溶解度的大小。它與物質的化學性質、溶劑的性質及溫度有關,壓力的變化很小,常可忽略不計。
溶解度曲線有三種
A隨溫度升高而明顯增大,硝酸鉀、硫酸鋁;
B溶解度曲線有折點,主要是由于物質的組成有所改變,例如:硫酸鈉在305K以下有10個結晶水,在305K以上變為無機鹽。
C受溫度的影響不顯著,氯化鈉、氯化鉀;
一般來說,溫度變化大時,可選用變溫方法結晶分離;溫度變化慢時,可采用移除一部分溶劑的結晶分離方法分離。
2.溶液的過飽和與介穩區
溶質濃度超過該條件下的溶解度時,該溶液稱為過飽和溶液,過飽和
溶液達到一定濃度時會有溶質析出。見書上P154。
溶解度曲線以下的區域稱為穩定區,在此區域溶液尚未達到飽和,因而沒有結晶的可能。溶解度曲線以上的區域為過飽和區,分為二部分,過飽和曲線以上的部分為不穩定區,在此區域內能自發地產生晶核。在過飽和曲線和溶解度曲線之間的區域為介穩區,在此區域內不會自發地產生晶核,如果溶液中加入晶體,就能誘導結晶進行,加入的晶體稱為晶種。
可用下式來表示:
式中: —溶度差過飽和度,Kg溶質/100Kg溶劑;
C—操作溫度下的過飽和濃度,Kg溶質/100Kg溶劑;
C*—操作溫度下的溶解度,Kg溶質/100Kg溶劑。
或
式中: △t—溫度差過飽和度,K;
t*—該溶液在飽和狀態時所對應的溫度,K;
t—該溶液經冷卻達到過飽和狀態時的溫度,K。
在結晶過程中,若將溶液控制在介穩區內且過飽和度較低,經過較長的時間才能有少量的晶核產生,加入晶種可得到粒度大而均勻的結晶產品,過飽和度較高,有大量的晶核產生,可得到粒度很小的結晶產品。
三、結晶過程的速率
晶體的生成包括晶核的形成和晶體的成長兩個階段。
1.晶核的形成
晶核是過飽和溶液中初始生成的微小晶粒,是晶體成長過程中必不可
少的核心。加料溶液中其它物質的質點或者過飽和溶液本身析出的新固相質點,這就是“成核”。此后,原子或分子在這個初形成的微小晶核上一層又一層地履蓋上去,直于要求的晶粒大小,為“成長”。
晶核形成的過程:在溶液中,質點元素不斷地作不規則的運動,隨著溫度的降低或溶劑量的減少,不同質點元素間的引力相對地越來越大,以至達到不能再分離的程度,結合成線晶,線晶結合成面晶,面晶結核成按一定規律排列的細小晶體,形成所謂的“晶胚”。晶胚不穩定,進一步長大則成為穩定的晶核。
以過飽和度為推動力的,如果溶液沒有過飽和度產生,晶核既不能發生,晶體也不能生成。在介穩區內,晶體就可以增長,但晶核的形成速率卻很慢,尤其在溫度較低,溶液的粘度很高,溶液的密度較大時,阻力也比較大,晶核的形成也比較困難。
成核的過程,在理論上分為二類。一種是溶液過飽和以后,自發形成的稱為“一次成核”;另一種是受外界影響而產生的晶核稱為“二次成核”。
在大部分的結晶操作中,晶核的產生并不困難,而晶體的粒度增長到要求的大小則需要精細的控制。往往有相當一部分多余出來的晶核遠遠
超過取出的晶體粒數,必須把多余的晶核從細晶捕集裝置中不斷取出,加以溶解,再回到結果器內,重新生成較大粒的晶體。
作為結晶的設計或操作人員注意:
(1)盡可能避免自發成核過速,以防止晶核“泛濫”無法長大;
(2)盡可能防止使用機械沖擊,研磨嚴重的循環泵,最好使用螺旋槳葉輪的循環裝置,外循環泵使用軸流泵或混流泵,忌用高轉速離心泵。
(3)盡可能使結晶器的內壁、循環管內壁表面光潔,無焊縫、無刺和粗糙面;
(4)加料溶液中懸浮的雜質微粒要在預處理時去除,以防外界微粒過多。
2.晶體的成長
在過飽和溶液中已有晶核形成或加晶種后,以過飽和度為推動力,溶液中的溶質向晶核或加入的晶體運動并在其表面上進行有序排列,使晶體格子擴大的過程。
影響結晶生長速率的因素很多:過飽和度、粒度、物質移動的擴散過程等。
解釋結晶成長的機理有:表面能理論、擴散理論、吸附層理論。目前常用的為擴散理論,按照擴散理論:晶體的成長過程由三個步驟組成的:
<div style="word-wrap: break-word; color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'mi