我國建成亞洲最大寬禁帶碳化硅基地
作者： 2015年01月27日 來源： 瀏覽量：
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近日，記者從中國寬禁帶功率半導體產業聯盟獲悉，國家重大科技成果轉化及山東省重點建設項目——山東天岳先進材料科技有限公司功能器材用碳化硅襯底項目順利完工,標志著我國建成亞洲規模最大的寬禁帶碳化硅半導體材
近日，記者從中國寬禁帶功率半導體產業聯盟獲悉，國家重大科技成果轉化及山東省重點建設項目——山東天岳先進材料科技有限公司功能器材用碳化硅襯底項目順利完工,標志著我國建成亞洲規模最大的寬禁帶碳化硅半導體材料生產基地。
據悉，寬禁帶碳化硅半導體材料是第三代半導體核心材料，目前正在逐步取代硅(Si)晶等傳統材料，成為新一代高端半導體行業的主要生產材料。寬禁帶碳化硅半導體材料廣泛應用于半導體電力電子器件、微波器件、光電子器件等領域，對我們國家的產業轉型升級和國防戰略安全具有重要意義。但由于寬禁帶半導體碳化硅半導體材料存在巨大的技術和工業化瓶頸，世界上只有少數幾個企業和科研機構掌握，至今一直對我國實行禁運封鎖,嚴重制約我們國家新一代半導體產業的發展。
目前建成的生產基地占地191畝，總建筑面積8萬平方米，設備全部達產后將形成年產35萬片碳化硅襯底的生產能力，將徹底改變我國寬禁帶碳化硅半導體材料受制于人的局面,帶動我國碳化硅產業鏈快速發展，形成千億級的碳化硅半導體產業集群。
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