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造出能隙

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  • 拉伸二硫化鉬晶體造出能隙可變半導體(2015-06-30)

    近日，美國斯坦福大學一科研團隊首次通過拉伸二硫化鉬的晶體點陣，“扯”出能隙可以變化的半導體。利用這種半導體，科學家有望制造出能夠吸收更多光能的太陽能電池。…[詳情]

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