客戶咨詢：
硅單晶
《硅單晶電阻率的測定 直排四探針法和直流兩探針法》意見征求(2020-04-02)
硅單晶是典型的元素半導體材料，具有優良的熱性能與機械性能，是目前最重要、用途廣泛的半導體材料。一般而言，硅單晶的電阻率是最直接、最重要的參數，直接反映出了晶體的純度和導電能力，在器件設計時…[詳情]
《硅單晶中氮含量的測定 二次離子質譜法》即將制訂(2019-11-12)
但目前在硅單晶中氮元素的測試方法方面還是空白，無論是紅外光譜法還是二次離子質譜法國內目前都尚無相關測試標準，只能借鑒SEMI MF2139-1103進行測試。為此，國家相關機構近期計劃制定一項有關于氮…[詳情]
6英寸碳化硅單晶襯底研制成功[組圖](2014-12-22)
近日，中國科學院物理研究所北京凝聚態物理國家實驗室（籌）先進材料與結構分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）單晶襯底。 據悉，碳化硅屬…[詳情]