導體
第十四屆中國半導體封裝測試技術會召開(2016-06-16)
在6月15日于南通召開的第十四屆中國半導體封裝測試技術與市場年會上,國家集成電路產業投資基金(CICF大基金)總經理丁文武表示,大基金接下來需要關注存儲器戰略、新興產業和熱點、行業并購等三大問…[詳情]
半導體公司Dialog推出兩款電源管理集成電路(2016-06-16)
Dialog半導體公司推出的DA9061和DA9062電源管理集成電路(PMIC)現已批量供貨。這兩款高效、成本優化的PMIC能夠為廣泛的基于處理器的器件供電。相關應用包括手持式消費電子產品、工業級嵌入式、智能家…[詳情]
半導體所在Si襯底上生長Ga基半導體納米線研究中取得進展(2016-06-02)
Si是現代CMOS工藝不可或缺的材料,而III-V族半導體廣泛應用于光電子、超高速微電子和超高頻微波等器件中。長期以來,科學家們試圖在Si襯底上外延高質量III-V族半導體。但由于晶格不匹配會導致生長的…[詳情]
具有鐵電半導體光電效應的晶體材料研究獲進展(2016-05-04)
具有非中心對稱結構的極性光電功能晶體材料以自發極化為基礎,表現出優異的非線性光學、壓電、熱釋電和鐵電等光電性能。但只有結晶在10種極性點群的化合物才能夠產生極化效應,如何創新極性光電功能…[詳情]
半導體所等在各向異性二維材料物性研究方面取得系列進展(2016-04-21)
二維層狀晶體材料,比如石墨烯和二硫化鉬(MoS2)等,具有優良的電學性能和光學性能,因此被期待可用來發展更薄、導電速度更快的新一代電子元件、晶體管和光電器件。近幾年來,平面內各向異性的二維晶體…[詳情]
光電所在半導體材料特性測量技術方面取得進展(2016-04-07)
半導體材料是微電子器件和光伏器件的基礎材料,其雜質和缺陷特性嚴重影響器件性能。隨著微電子器件集成度和光伏器件轉換效率的提高,對半導體原材料的要求越來越高。為了滿足工業化生產的需求,相應…[詳情]
金屬所研制出窄帶隙分布半導體性單壁碳納米管(2016-03-31)
單壁碳納米管(SWCNT)因碳原子排布方式不同可表現為金屬性或半導體性,其中半導體性SWCNT具有納米尺度、良好的結構穩定性、可調的帶隙和高載流子遷移率,被認為是構建高性能場效應晶體管的理想溝道材…[詳情]
銅氧化物高溫超導體超導配對機理研究獲進展(2016-03-30)
BCS超導理論對金屬或合金等傳統超導體的超導機理給出了完美的解釋。對BCS超導理論決定性的實驗驗證,特別是揭示傳統超導體中電子配對是通過交換聲子作為媒介而實現,則來自于隧道能譜實驗對超導配…[詳情]
SEMICON CHINA2016國際半導體展完美落幕(2016-03-28)
全球半導體業界規格最高、規模最大的“嘉年華”—SEMICON CHINA 2016近日在上海新國際博覽中心完美閉幕,這是一場包攬全球領先半導體制造技術的盛會,是SEMI為中國半導體產業鏈上下游間交流合作而打造…[詳情]
半導體所在柔性一維光電探測器研究方面取得系列進展(2016-03-23)
隨著科學技術日新月異的發展,人們對便攜化、娛樂化、健康化的可穿戴式電子設備不斷追求,促使其相應的柔性傳感器件向著高效、低成本、大面積制造等方向發展。近些年,為了實現光電探測器的便攜化和可移…[詳情]